Inhomogene Feldverteilung in CdS-Einkristallen im Bereich hoher Feldstärken

Zusammenfassung

Die in der vorangegangenen Arbeit beschriebenen ringförmigen Verdunkelungen um die Kathode bei monochromatischer Belichtung an der Absorptionskante, die bei hohen angelegten Spannungen auftreten, werden als Raumladungseffekte erklärt. Durch Feldanregung von Elektronen aus Termen in der verbotenen Zone in das Leitungsband wird die Bildung einer durch das Feld verursachten Raumladungserscheinung beschrieben, die eine Aufwölbung des Feldes vor der Kathode zur Folge hat. Am Rande dieser ringförmigen Verdunkelung wird die „Durchschlagsfeldstärke“ erreicht und durch intensive Schaffung von Leitungselektronen im anodenseitig angrenzenden Gebiet eine beträchtliche Leitfähigkeitserhöhung bewirkt. Die Konsequenzen einer solchen charakteristischen inhomogenen Feldverteilung für den elektrischen Durchschlag werden diskutiert. Es zeigt sich, daß die maximale Feldstärke im Innern des Kristalls beträchtlich über dem Wert liegen kann, den man bei homogener Feldverteilung aus angelegter Spannung und Elektrodenabstand errechnet. Die Abhängigkeit der „Durchschlagsfeldstärke“ von der Realstruktur läßt sich nach dem vorgeschlagenen Mechanismus verstehen.