Two-photon absorption in semiconductors in a magnetic field

Summary

The absorption coefficient for two-photon transitions in a magnetic field is given for the case ofM ₀-type singularities in second-order perturbation theory. States belonging to the two bands between which the transitions occur and states associated with other bands of the crystal are considered, as well as intermediate states. Correspondingly, two types of transitions, with selection rules Δn = ± 1 (inter-intra) and Δn = 0 (inter-inter), are shown to occur and explicit expressions for the transition probabilities are given. The selection rules are also discussed.

Riassunto

Si calcola con la teoria delie perturbazioni al secondo ordine il coefficiente di assorbimento per transizioni a due fotoni in campo magnetico nel caso di singolarità di tipoM ₀. Si considerano come stati intermedi gli stati che appartengono alle due bande tra cui ha luogo la transizione e stati associati ad altre bande del cristallo. Si mostra che in corrispondenza si presentano due tipi di transizioni eon regole di selezione, rispettivamente, Δn= ± 1 (inter-intra) e Δn = 0 (inter-inter). Si dà l’espressione esplicita delie probabilità di transizione e si discutono anche le regole di selezione.

Резюме

Приводятся коэффициенты поглощения для двух-фотонных переходов в магнитном поле для случая сингулярностей М₀ типа во втором порядке теории возмущений. В качестве промежуточных состояний рассматриваются состояния, принадлежащие двум зонам, между которыми происходят переходы, и состояния, связанные с другими зонами кристалла. Показывается, что существует соответственно два типа переходов с правилами отбора Δn=±1 (между-внутри) и Δта=0 (между-между). Приводится явное выражение для вероятностей переходов. Также обсуждаются правила отбора.