References
M. L. Frankenheim, Ann. Phys. 37, 516 (1839).
L. Royer, Bull. Soc. Fr. Mineral. Crist. 51, 7 (1928).
H. Seifert, in Structure and Properties of Solid Surfaces, edited by R. Gomer and C. S. Smith (Univ. of Chicago Press, 1953), p. 318.
F. C. Frank and J. H. van der Merwe, Proc. Roy. Soc. A198, 216 (1949).
J. W. Matthews, Epitaxial Growth (Academic Press, New York, 1975).
G. Honjo and K. Yagi, in Current Topics in Materials Science, edited by E. Kaldis (North Holland, Amsterdam, 1980), p. 195.
B. W. Dodson, I. J. Fritz, S. T. Picraux, and J. Y. Tsao, in Multilayers: Synthesis, Properties and Non-Electronic Applications, edited by T. W. Barbee, Jr., F. Spaepen, and L. Greer (MRS, Pittsburgh, PA, 1988), p. 141.
E. Bauer, Appl. Surf. Sci. 11/12, 479 (1982).
R. Kern, G. Le Lay, and J. J. Metois, in Current Topics in Materials Science, edited by E. Kaldis (North Holland, Amsterdam, 1979), p. 130.
R. W. Vook, Int. Met. Rev. 27, 209 (1982).
C. P. Flynn, J. Phys. F18, L195 (1988); M. H. Yang and C. P. Flynn, Phys. Rev. Lett. 62, 2476 (1989).
C. P. Flynn, Proc. Acta Metall. Conf. on Metal-Ceramic Interfaces (Santa Barbara, CA, Jan. 1989), Acta Scripta (in press).
E. Bauer, Z. Krist, 110, 372 (1958).
R. Bruinsma and A. Zangwill, Europhys. Lett. 4, 729 (1987).
M. H. Grabow and G. H. Gilmer, in Layered Structures and Epitaxy, edited by J. M. Gibson, G. C. Osbourn, and R. M. Tromp (MRS, Pittsburgh, PA, 1986), p. 13.
J. H. van der Merwe, J. Appl. Phys. 34, 117 (1963).
B. W. Dodson and P. A. Taylor, Appl. Phys. Lett. 49, 642 (1986).
J. Woltersdorf, Appl. Surf. Sci. 11/12, 495 (1982).
J. C. Bean, L. C. Feldman, A. T. Fiory, S. Nakahara, and I. K. Robinson, J. Vac. Sci. Technol. A2, 436 (1984).
P. S. Peercy and G. C. Osbourn, J. Metals 39, 14 (1986).
B. W. Dodson and J. Y. Tsao, Appl. Phys. Lett. 51, 1325 (1987).
B. W. Dodson and J. Y. Tsao, in Ann. Rev. in Mater. Sci. 19, 419 (1989).
J. Y. Tsao, B. W. Dodson, S. T. Picraux, and D. M. Cornelison, Phys. Rev. Lett. 59, 2455 (1987).
B. W. Dodson and J. Y. Tsao, Appl. Phys. Lett. 55, 1345 (1989).
B. W. Dodson, R. Hull, and J. C. Bean, Phys. Rev. Lett. (1990) (in press).
D. M. Wood, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B37, 1342 (1988).
P. N. Keating, Phys. Rev. 145, 637 (1966).
2S. D. M. Wood and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 61, 1501 (1988).
H. R. Jen, M. J. Cherng, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 48, 1603 (1986).
Y. E. Ihm, N. Otsuka, J. Klem, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 51, 2013 (1987).
M. J. Jou, Y. T. Cherng, H. R. Jen, and G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 93, 62 (1988).
I. A. Morrison, M. H. Kang, and E. J. Mele, Phys. Rev. B39, 1575 (1989).
Z. Q. Wang, S. H. Liu, Y. S. Li, F. Jona, and P. M. Marcus, Phys. Rev. B35, 9322 (1987).
D. W. Goodman, J. E. Houston, and C. H. F. Peden, J. Vac. Sci. Technol. A5, 823 (1987).
V. L. Moruzzi, P. M. Marcus, K. Schwarz, and P. Mohn, Phys. Rev. B34, 1784 (1986).
R. Brunisma and A. Zangwill, J. Phys. (Paris) 47, 2055 (1986).
B. W. Dodson, D. R. Myers, A. K. Datye, V. S. Kaushik, D. L. Kendall, and B. Martinez-Tovar, Phys. Rev. Lett. 61, 2681 (1988).
L. J. Schowalter, E. L. Hall, N. Lewis, and S. Hashimoto, in Thin Films: Stresses and Mechanical Properties, edited by J. C. Bravman, W. D. Nix, D. M. Barnett, and D. A. Smith (MRS, Pittsburgh, PA, 1989).
R. Du and C. P. Flynn (preprint).
F. H. Stillinger and T. A. Weber, Phys. Rev. B31, 5262 (1985).
M. I. Baskes, Phys. Rev. Lett. 59, 2666 (1987).
M. S. Daw and M. I. Baskes, Phys. Rev. B29, 6443 (1984).
43.. K. E. Khor and S. D. DasSarma, Phys. Rev. B36, 7733 (1987); S. Clarke and D. D. Vvedensky, J. Appl. Phys. 63, 2272 (1988).
B. W. Dodson, Phys. Rev. Lett. (1989) (in press).
A. Madhukar and S. V. Ghaisas, CRC Crit. Rev. in Solid State Mat. Sci. 14, 1 (1988).
R. Car and M. Parinello, Phys. Rev. Lett. 55, 2471 (1985).
D. J. Eaglesham and E. P. Kvam, Phil. Mag. A59, 1059 (1989).
H. M. Cox, S. G. Hummel, and V. G. Keramides, J. Cryst. Growth 79, 900 (1986); H. M. Cox, P. C. Morais, D. M. Huang, P. Bastos, T. J. Gmitter, L. Nazar, J. M. Worlock, E. Yablonovitch, and S. G. Hummel, in Gallium Arsenide and Related Compounds 1988, Inst. Phys. Conf. Ser. #96, 119 (1989).
G. B. Stringfellow, Organometallic Vapor Phase Epitaxy: Theory and Practice (Academic Press, Boston, MA, 1989).
C. Plass, H. Heinecke, O. Kaiser, H. Lüth, and P. Balk, J. Cryst. Growth 88, 455 (1988).
D. E. Aspnes, E. Colas, A. A. Studna, R. Bhat, M. A. Koza, and V. G. Keramidas, Phys. Rev. Lett. 61, 2782 (1988); D. E. Aspnes, R. Bhat, E. Colas, V. G. Keramidas, M. A. Koza, and A. A. Studna, J. Vac. Sci. Technol. A7, 711 (1989); D. E. Aspnes, J. P. Harbison, A. A. Studna, and L. T. Florez, J. Vac. Sci. Technol. A6, 1327 (1987); D. E. Aspnes, R. Bhat, E. Codas, L. T. Florez, J. P. Harbison, M. K. Kelly, V. G. Keramidas, M. A. Koza, and A. A. Studna, SPIE Proc. 1037, 2 (1989).
H. Asai, J. Cryst. Growth 80, 425 (1987).
H. Kawai, K. Kaneko, and N. Watanabe, J. Appl. Phys. 56, 463 (1984).
K. Kajiwara, H. Kawai, K. Kaneko, and N. Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys. 24, L85 (1985).
D. C. Bertolet, J. K. Hsu, and K. M. Lau, J. Appl. Phys. 62, 120 (1987).
J. Singh, K. K. Bajaj, D. C. Reynolds, C. W. Litton, P. Y. Wu, W. T. Masselink, R. Fischer, and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B3, 1061 (1985).
W. T. Tsang and E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 49, 855 (1985).
A. Ourmazd, in Proc. of US/Japan Seminar on Alloy Semiconductors, edited by G. B. Stringfellow and A. Sasaki (Elsevier, Amsterdam, 1989).
M. Razeghi, J. Nagle, and C. Weisbuch, Inst. Phys. Conf. Ser. #74, 379 (1985).
T. Y. Wang, K. L. Fry, A. Persson, E. H. Reihlen, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 52, 290 (1988).
T. Y. Wang, K. L. Fry, A. Persson, E. H. Reihlen, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 63, 2674 (1988).
G. B. Stringfellow, J. Electron. Mater. 17, 327 (1988).
E. Kapon, J. P. Harbison, C. P. Yun, and L. T. Florez, Appl. Phys. Lett. 54, 304 (1989); H. P. Meier, E. Van Giesen, W. Walker, C. Harder, M. Krahl, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 54, 433 (1989).
Emerging Technologies for In Situ Processing, edited by D. E. Ehrlich and V. T. Nguyen, NATO Advanced Science Institute Series, Series E: Applied Sciences No. 139 (Martius Nijhoff, Dordrecht, Boston, 1988).
P. Chen, J. Y. Kim, A. Madhukar, and N. M. Cho, J. Vac. Sci. Technol. B4, 890 (1986).
J. H. Neave, P. J. Dobson, B. A. Joyce, and J. Zhang, Appl. Phys. Lett. 47, 100 (1985).
R. Dingle, H. L. Stormer, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978).
E. F. Schubert and K. Ploog, Jpn. J. Appl. Phys. 24, L608 (1985); C. E. C. Wood, G. Metzke, J. Berry, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 51, 383 (1980).
Y. Horikoshi, M. Kawashima, and H. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 25, L868 (1986); Y. Horikoshi, M. Kawashima, and H. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 169 (1988).
J. F. Gibbons, C. M. Gronet, and K. E. Williams, Appl. Phys. Lett. 47, 721 (1985).
P. C. Falks and I. J. Beckers, Appl. Phys. Lett. 41, 167 (1982).
N. Herbots, B. R. Appleton, T. S. Noggle, R. A. Zuhr, and S. J. Pennycook, Nucl. Inst. Methods B13, 250 (1986).
See, e.g., J. E. Greene, CRC Critical Reviews of Solid State and Materials Science 11, 47 (1983).
T. C. Huang, G. Lim, F. Parmigiani, and E. Kay, J. Vac. Sci. Technol. A3, 2161 (1985).
L. S. Yu, J. M. E. Harper, J. J. Cuomo, and D. A. Smith, J. Vac. Sci. Technol. A4, 443 (1986).
H. Jorke, H-J. Herzog, and H. Kibbel, Appl. Phys. Lett. 47, 511 (1985).
J. E. Greene, J. Vac. Sci. Technol. 1, 229 (1983).
N. Herbots, P. Cullen, S. J. Pennycook, B. R. Appleton, T. S. Noggle, and R. A. Zuhr, Nucl. Instrum. and Meth. B. (in press).
J. Y. Tsao, E. Chason, K. M. Horn, D. K. Brice, and S. T. Picraux, Nucl. Instr. and Meth. B39, 72 (1989).
E. Chason, K. M. Horn, J. Y. Tsao, and S. T. Picraux, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 128, 35 (1989).
K. M. Horn, E. Chason, J. Y. Tsao, and S. T. Picraux, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 131, 549 (MRS, Pittsburgh, PA, 1989).
S. M. Bedair, J. K. Whisnant, N. H. Karam, D. Griffis, N. A. El-Masry, and H. H. Stadelmaier, J. Cryst. Growth 77, 229 (1986); S. M. Bedair, J. K. Whisnant, N. H. Karam, M. A. Tischler, and T. Katsuyana, Appl. Phys. Lett. 48, 174 (1986).
A. Doi, Y. Aoyagi, and S. Namba, Appl. Phys. Lett. 48, 787 (1986); A. Doi, Y. Aoyagi, and S. Namba, Appl. Phys. Lett. 49, 785 (1986).
J. G. Eden, J. E. Greene, J. G. Osmundsen, D. Lubben, C. C. Abele, S. Gorbutkin, and H. D. Desai, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 17, 185 (1983).
A. Ishitani, Y. Oshita, K. Tanigaki, and K. Takada, J. Appl. Phys. 61, 2224 (1987).
D. W. Kisker and R. D. Feldman, Mater. Lett. 3, 485 (1985); D. W. Kisker and R. D. Feldman, J. Cryst. Growth 72, 102 (1985).
W. Roth, M. Fischer, D. Grundmann, R. Lückerath, I.I. Lüth, and W. Richter, J. Vac. Technol. 5, 1453 (1987).
J. M. Gee, P. J. Hargis, Jr., M. J. Carr, D. R. Tallant, and R. W. Light, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 29, 15 (1984).
S. Nishida, T. Shiimito, A. Yamada, S. Karasawa, M. Konagai, and K. Takashashi, Appl. Phys. Lett. 49, 79 (1986).
T. Balk, M. Fischer, D. Grundmann, R. Lückerath, I. I. Lüth, and W. Richter, J. Vac. Sci. Technol. 5, 1453 (1987).
V. M. Donnelly, D. Brasen, A. Appelbaum, and M. Geva, J. Appl. Phys. 58, 2022 (1985); V. M. Donnelly, D. Braseu, A. Appelbaum, and M. Geva, J. Vac. Sci. Technol. A4, 716 (1986).
S. J. C. Irvine, J. B. Mullin, and J. Tunnicliffe, J. Cryst. Growth 68, 188 (1984); S. J. C. Irvine, J. B. Mullin, and J. Tunnicliffe, Chem. Phys. 39, 234 (1984); S. J. C. Irvine, J. B. Mullin, G. W. Blackmore, and O. D. Dosser, J. Vac. Technol. 83, 1450 (1985); S. J. C. Irvine, J. Geiss, J. S. Gough, G. W. Blackmore, A. Royle, J. B. Mullin, N. G. Chew, and A. G. Cullis, J. Cryst. Growth 77, 437 (1986).
W. J. Ahlgren, J. B. James, R. P. Ruth, E. A. Patten, and J. A. Stuedenmann, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 90, 405 (1987).
D. L. Dreifres, R. M. Kolbas, R. L. Harper, J. R. Tassitino, S. Hwang, and J. F. Schetzina, Appl. Phys. Lett. 53, 1279 (1988).
P. A. Maki and D. J. Ehrlich, Appl. Phys. Lett. 55, 91 (1989).
L. Pfeiffer, J. M. Phillips, T. P. Smith, III, W. M. Augustoniak, and K. W. West, Appl. Phys. Lett. 46, 947 (1985); L. Pfeiffer, J. M. Phillips, K. E. Luther, K. W. West, J. L. Batstone, F. A. Stevie, and J. E. A. Maurits, Appl. Phys. Lett. 50, 466 (1987); N. Chaud, R. People, R. A. Baiocchi, K. W. Wecht, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 49, 815 (1986).
M. Cerullo, J. M. Phillips, M. Anzlowar, L. Pfeiffer, J. L. Batstone, and M. Galiano, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 102, 835 (1988).
E. Yablonovitch, T. J. Gmitter, J. P. Harbison, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 51, 2222 (1987).
D. R. Myers, J. F. Klem, and J. A. Lott, Tech. Digest of the 1988 Intl. Electr. Devices Meeting (IEEE Publ. Services, New York, 1989), p. 704.
L. Esaki and R. Tsu, IBM J. Res. Dev., 61 (1970).
G. C. Osbourn, J. Appl. Phys. 53, 1586 (1982).
R. M. Biefeld, J. Cryst. Growth 56, 382 (1982); R. M. Biefeld, G. C. Osbourn, P. L. Gourley, and I. J. Fritz, J. Electron. Mater. 12, 903 (1983).
R. M. Biefeld, C. R. Hills, and S. R. Lee, J. Cryst. Growth 91, 515 (1988).
B. W. Dodson, Appl. Phys. Lett. 53, 37 (1989).
J. Cibert, P. M. Petroff, D. J. Werder, S. J. Pearson, A. C. Gossard, and J. H. English, Appl. Phys. Lett. 49, 223 (1986).
K. S. Seo, P. K. Battacharia, G. P. Kothiyal, and S. Hong, Appl. Phys. Lett. 49, 15 (1986).
F. K. LeGoues, S. S. Iyer, K. N. Tu, and S. L. DeLage, Multilayers: Synthesis, Properties and Non-Electronic Applications (MRS, Pittsburgh, PA, 1988), p. 185.
G. B. Stringfellow and P. E. Greene, J. Phys. Chem. Solids 30, 1779 (1969).
M. B. Panish and M. Ilegems, Progress in Solid State Chemistry, edited by H. Reiss and J. O. McCaldin (Pergamon Press, Oxford, 1972), Vol. 7, p. 39.
G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 27, 21 (1974).
J. C. Phillips and J. A. Van Vechten, Phys. Rev. 22, 70 (1969).
J. C. Phillips and J. A. Van Vechten, Phys. Rev. B2, 2147 (1970).
G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 68, 111 (1984).
B. deCremoux, P. Hirtz, and J. Ricciardi, Inst. Phys. Conf. Ser. 56, 115 (1981).
M. J. Cherng, G. B. Stringfellow, and R. M. Cohen, Appl. Phys. Lett. 44, 677 (1984).
G. B. Stringfellow, J. Electron. Mater. 11, 5 (1982).
G. P. Srivastava, J. L. Martins, and A. Zunger, Phys. Rev. B31, 2561 (1985).
R. A. Swalin, Thermodynamics of Solids (John Wiley and Sons, New York, 1972).
W. Hume-Rothery, Electrons, Atoms, Metals, and Alloys (Dover, London, 1963), 3rd ed., Chap. 39. The first edition was published in 1948.
J. Murgatroyd, A. G. Norman, and G. R. Booker, Mater. Res. Soc. Spring Meeting, Palo Alto, CA, April 1986.
Y. E. Ihm, N. Otsuka, J. Klem, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 51, 2013 (1987).
H. R. Jen, K. Y. Ma, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 54, 1154 (1989).
H. R. Jen, D. S. Cao, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 54, 1890 (1989).
G. B. Stringfellow, in Proc. of US/Japan Seminar on Alloy Semiconductors, edited by G. B. Stringfellow and A. Sasaki (Elsevier, Amsterdam, 1989).
T. Suzuki, A. Gomyo, and S. Iijima, J. Cryst. Growth 93, 396 (1988).
J. C. Bean, T. T. Sheng, L. C. Feldman, A. T. Fiory, and R. T. Lynch, Appl. Phys. Lett. 44, 103 (1984).
Y. Kohama, Y. Fukada, and M. Seki, Appl. Phys. Lett. 52, 380 (1988); D. J. Eaglesham, E. P. Kvam, D. M. Maher, C. J. Humphreys, G. S. Green, B. K. Tanner, and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 53, 2083 (1988).
R. Hull, J. C. Bean, and R. E. Leibenguth, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 116, 505 (1988).
S. Froyen, S. M. Wood, and A. Zunger, Phys. Rev. B36, 4574 (1987).
T. P. Pearsall, J. C. Bean, R. Hull, and J. M. Bonar, Proc. of the 3rd Int. Symp. on Si Molecular Beam Epitaxy, Meeting of the European Materials Research Society, June 1989 (to be published).
See, e.g., Proc. of the 2nd Int. Symp. on Silicon Molecular Beam Epitaxy, edited by J. C. Bean and L. J. Showalter (The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1988).
D. V Derjaguin, B. V. Spitsyn, A. E. Goridetsky, A. P. Zakharov, L. L. Bouilov, and A. E. Sleksenko, J. Cryst. Growth 31, 44 (1975).
M. Kamo, Y. Sato, S. Matsumoto, and N. Setaka, J. Cryst. Growth 62, 642 (1983).
S. Matsumoto, Y. Sato, N. Kamo, and N. Setaka, Jpn. J. Appl. Phys. 21, L183 (1982).
M. W. Geis, D. D. Rathman, J. J. Zayhowski, P. Smythe, D. K. Smith, and G. A. Ditmer, in Diamond and Diamond-Like Materials Synthesis, edited by G. H. Johnson, A. R. Badzian, and M. W. Geis (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1988), p. 115.
P. L. Gourley, T. M. Brennan, B. E. Hammons, S. W. Corzine, G. S. Geels, R. H. Yan, J. W. Scott, and L. A. Coldren, Appl. Phys. Lett. 54, 1209 (1989).
P. L. Gourley, R. M. Biefeld, T. J. Drummond, and T. E. Zipperian, SPIE 792, Quantum Wells and Microstructures, 178 (1987).
J. L. Reno, P. L. Gourley, G. Montfroy, and J. P. Faurie, Appl. Phys. Lett. 53, 1747 (1989).
H. Kroemer, J. Cryst. Growth 81, 193 (1987).
R. J. Fischer, N. Chand, W. F. Kopp, H. Morkoc, L. P. Erickson, and P. Youngman, Appl. Phys. Lett. 47, 397 (1985).
R. Hull, A. Fischer-Colbrie, S. J. Rosner, S. M. Koch, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 51, 1723 (1987).
T. Sakamoto and G. Hashiguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 25, L57 (1986).
N. Lucas, H. Zabel, H. Morkoc, and H. Unlu, Appl. Phys. Lett. 52, 2117 (1988).
Y. H. Lo, M. C. Wu, H. Lee, S. Wang, and Z. Lilienthal-Weber, Appl. Phys. Lett. 52, 1386 (1988).
F. C. Frank and J. H. van der Merwe, Proc. R. Soc. London A198, 205 (1949); J.W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).
T. Nishimura, K. Mizuguchi, N. Hayafuji, and T. Murotani, Jpn. J. Appl. Phys. 26, L1141 (1987).
J. W. Lee, Proc. 1986 Int. Symp. on GaAs and Related Compounds, Inst. Phys. Conf. Ser. 83, 111 (1987).
D. E. Aspnes and J. Ihm, Phys. Rev. Lett. 57, 3054 (1986).
J. E. Griffith, J. A. Kubby, P. E. Wierenga, and G. P. Kochanski, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 116, 105 (1988).
S. J. Rosner, S. M. Koch, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 49, 1764 (1986).
N. El-Masry, J. C. L. Tarn, T. P. Humphreys, N. Hamaguchi, N. H. Karem, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 51, 1608 (1987); N. A. El-Masry, J. C. Tarn, and N. H. Karam, J. Appl. Phys. 64, 3672 (1988).
J. W. Lee, J. Shichijo, H. L. Tsai, and R. J. Mayti, Appl. Phys. Lett. 5 0, 31 (1987).
G. A. Prinz, Phys. Rev. Lett. 54, 1051 (1985); Y. U. Idzerda, W. T. Elam, B. T. Jonker, and G. A. Prinz, Phys. Rev. Lett. 62, 2480 (1989).
A. Guivarc’h, R. Guerin, and M. Secoue, Electron. Lett. 23, 1004(1987).
C. J. Palmstr0m, K. Garrison, B-O. Fimland, and J. P. Harbison, Electronic Materials Conference, Boulder, CO, June 22–24, 1988; C. J. Palmstrøm, K. Garrison, B-O. Fimland, T. Sands, and R. A. Bartynski, in Mater. Res. Soc. Symp. Proc. on Advances in Materials, Processing and Devices in III-V Compound Semiconductors, Boston, MA, November 28–December 1, 1988); T. Sands, J. P. Harbison, W. K. Chan, S. A. Schwarz, C. C. Chang, C. J. Palmstrøm, and V. G. Keramidas, Appl. Phys. Lett. 52, 1216 (1988).
J. P. Harbison, T. Sands, N. Tabatabaie, W. K. Chan, L. T. Florez, and V. G. Keramidas, Appl. Phys. Lett. 53, 1717 (1988).
N. Tabatabaie, T. Sands, J. P. Harbison, H.L. Gilchrist, and V. G. Keramidas, Appl. Phys. Lett. 53, 2528 (1988).
C. J. Palmstrøm, N. Tabatabaie, and S. J. Allen, Jr., Appl. Phys. Lett. 53, 2608 (1988).
S. Saitoh, H. Ishiwara, T. Asano, and S. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys. 20, 1649 (1981).
R. T. Tung, J. M. Gibson, J. C. Bean, J. M. Poate, and D. C. Jacobson, Appl. Phys. Lett. 40, 684 (1982).
Y. C. Kao, M. Tejwami, Y. H. Xie, T. L. Lin, and K. L. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B3, 596 (1985).
J. C. Bean and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 37, 634 (1980).
R. T. Tung, J. M. Gibson, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 42, 429 (1983).
R.T. Tung, J. M. Gibson, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 42, 888 (1983).
A. E. White, K. T. Short, R. C. Dynes, J. P. Garno, and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 50, 95 (1987).
J. C. Barbour, S. T. Picraux, and B. L. Doyle, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 102, 371 (1988).
S. M. Yalisove, R. T. Tung, and J. L. Batstone, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 116, 439 (1988).
J. M. Gibson, J. L. Batstone, R. T. Tung, and F. C. Unterwald, Phys. Rev. Lett. 60, 1158 (1988).
J. M. Gibson, J. L. Batstone, and R. T. Tung, Appl. Phys. Lett. 51, 45 (1987).
J. M. Phillips, J. L. Batstone, J. C. Hensel, M. Cerullo, and F. C. Unterwald, J. Mater. Res. 4 (1), 144 (1989).
R. T. Tung and J. L. Batstone, Appl. Phys. Lett. 52, 648 (1988).
F. Hellman and R. T. Tung, Phys. Rev. B37, 10,786 (1988).
R. T. Tung and J. M. Gibson, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 67, 211 (1986) and references therein.
Th. Flor, M. Schulz, and R. T. Tung, Appl. Phys. Lett. 51, 1343 (1987).
H. Fujitani and S. Asano, J. Phys. Soc. Jpn. 57, 2253 (1988).
G. P. Das, P. Blochl, N. E. Christensen, and O. K. Anderson, Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces, edited by I. P. Batra (Plenum Press, New York, 1988).
M. D. Stiles and D. R. Hamann, Phys. Rev. B40, 1349 (1989).
J. C. Hensel, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 54, 499 (1986) and references therein.
A. E. White and K. T. Short, Science 241, 930 (1988).
J. Henz, M. Ospelt, and H. von Kanel, Proc. of the NATO Advanced Study Institute, Heterostructures on Si: One Step Further with Silicon (Kluwer, Dordrecht, The Netherlands, 1989), p. 215.
R. T. Tung and J. L. Batstone, Appl. Phys. Lett. 52, 1611 (1988).
E. Rosenscher, S. Delage, Y. Campidelli, and F. Arnaud D’Avitaya, Electron. Lett. 20, 762 (1984).
J. C. Hensel, A. J. F. Levi, R. T. Tung, and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 47, 151 (1985).
E. Rosenscher, S. Delage, F. Arnaud D’Avitaya, C. D’Anterroches, K. Belhaddad, and J. Pfister, Physica 134B, 106 (1985).
R. T. Tung, A. J. F. Levi, and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 48, 635 (1986).
A. J. F. Levi, R. T. Tung, J. L. Batstone, and M. Anzlowar, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 102, 361 (1988).
L. F. Mattheiss and D. R. Hamann, Phys. Rev. B37, 10,623 (1988).
S. M. Yalisove, R. T. Tung, and D. Loretto, Extended Abstracts of the Symposium on Selected Topics in Electronic Materials, Fall 1988 Materials Research Society Meeting.
M. Jalochowski and E. Bauer, Phys. Rev. B37, 8622 (1988); B38, 527 (1988).
W. E. Spicer and R. Cao, Phys. Rev. Lett. 62, 605 (1989); K. Stiles and A. Kahn, Phys. Rev. Lett. 62, 606 (1989).
S. M. Durbin, J. E. Cunningham, and C. P. Flynn, J. Phys. F 12, L75 (1982).
J. Kwo, in Thin Film Growth Techniques for Low-Dimensional Structures, edited by R. F. C. Farrow, S. S. P. Parkin, P. J. Dobson, J. H. Neave, and A. S. Arrott (Plenum, New York, 1987).
T. Miller, M. Mueller, and T-C. Chiang, Phys. Rev. (in press); see also T. Miller, A. Samsovas, G. E. Franklin, and T-C. Chiang, Phys. Rev. Lett. 61, 1404 (1988).
R. W. Erwin, J. J. Rhyne, M. B. Salamon, J. Borchers, S. Sinha, R. Pu, J. E. Cunningham, and C. P. Flynn, Phys. Rev. B35, 6808 (1987).
J.E. Cunningham and C. P. Flynn, J. Phys. F15, 6221 (1985).
A. Kueny, M. R. Kahn, I. K. Schuller, and M. Grimsditch, Phys. Rev. B29, 2879 (1986).
For an overview, see M. R. Beasley, in Percolation Localization in Superconductivity, edited by A. M. Goldman and S. A. Wolf, NATO ASI Series (Plenum, New York, 1984), Vol. B109.
See, e.g., Proc. of the 1st Int. Symp. on Silicon Molecular Beam Epitaxy, edited by J. C. Bean (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1985); Proc. of the 2nd Int. Symp. on Silicon Molecular Beam Epitaxy, edited by J. C. Bean and L. J. Schowalter (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1988); P. M. Mankiewich, M. J. Craighead, T. R. Harrison, and A. G. Dagem, Appl. Phys. Lett. 44, 468 (1984).
J. M. Phillips, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 71, 97 (1986).
R. F. C. Farrow, S. Sinharoy, R. A. Hoffman, J. H. Reiger, W. J. Takei, J. C. Greggi, Jr., S. Wood, and T. A. Temofonte, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 37, 181 (1988).
Y. Nishibayashi, T. Imura, Y. Osaka, and H. Fukumoto, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 116, 363 (1988).
M. Ishida, I. Katakabe, N. Ohtake, and T. Nakamura, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 116, 375 (1988).
Y. Kado and Y. Arita, J. Appl. Phys. 61, 2398 (1987).
K. Egami, M. Mikami, and H. Tsuya, Appl. Phys. Lett. 43, 757 (1983).
L. Schowalter, R. W. Fathauer, R. P. Groehner, L. G. Turner, R. W. DeBlois, S. Hashimoto, J-L. Peng, W. M. Gibson, and J. P. Krusius, J. Appl. Phys. 58, 302 (1985).
T. P. Smith, III, J. M. Phillips, W. M. Augustyniak, and P. J. Stiles, Appl. Phys. Lett. 45, 907 (1984).
T. P. Smith, III, J. M. Phillips, R. People, W. M. Augustyniak, and K. W. Wecht, Appl. Phys. Lett. 46, 947 (1985).
J. M. Phillips, N. E. Hecker, and M. Cerullo (unpublished research).
H. Ishiwara and T. Asano, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 53, 129 (1985); H. Ishiwara (private communication).
L. Pfeiffer, J. M. Phillips, T. P. Smith, III, W. M. Augustyniak, and K. W. West, Appl. Phys. Lett. 46, 947 (1985).
J. M. Phillips, M. L. Manger, L. Pfeiffer, D. C. Joy, T. P. Smith, III, W. M. Augustyniak, and K. W. West, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 53, 155 (1986).
J. L. Batstone, J. M. Phillips, and E. C. Hunke, Phys. Rev. Lett. 60, 1394 (1988).
T. Asano, H. Ishiwara, and S. Furukawa, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 91, 337 (1987).
H. Onoda, M. Sasake, T. Katoh, and N. Hirashita, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 91, 349 (1987).
2I5. R. W. Fathauer, N. Lewis, E. L. Hall, and L. J. Schowalter, J. Appl. Phys. 60, 3886 (1986).
T. Asano, H. Ishiwara, K. Orihara, and S. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys. 22, L118 (1983).
T. Asano, Y. Kuriyama, and H. Ishiwara, Electron. Lett. 21, 386 (1985).
T. Asano and H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys. 21, L630 (1983).
H. Ishiwara and T. Asano, Jpn. J. Appl. Phys. 22, Supplement 22–1, 201 (1983).
T. Asano, H. Ishiwara, H. C. Lee, K. Tsutsui, and S. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys. 25, L139 (1986).
S. Hashimoto, L. J. Schowalter, G. A. Smith, E. Y. Lee, W. M. Gibson, and P. A. Claxton, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 116, 257 (1988).
H. C. Lee, T. Asano, H. Ishiwara, and S. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1616 (1988).
T. Asano, H. Ishiwara, and S. Furukawa, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 145 (in press).
H. Zogg, W. Vogt, and H. Melchior, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 71, 87 (1986).
S. Blunier, H. Zogg, and H. Wiebel, Appl. Phys. Lett. 53, 1512 (1988).
C. Maissen, J. Masek, H. Zogg, and H. Blunier, Appl. Phys. Lett. 53, 1608 (1988).
C. Fontaine, M. Berrabah, J. Nejjar, and A. Munoz-Yague, J. Cryst. Growth 81, 547 (1987) and references therein.
C. W. Tu, S. R. Forrest, and W. D. Johnston, Jr., Appl. Phys. Lett. 42, 569 (1983).
K. H. Kim, H. Ishiwara, T. Asano, and S. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L2180 (1988).
D. Rieger, F. J. Himpsel, U. O. Karlsson, F. R. McFeely, J. F. Morar, and J. A. Yarnoff, Phys. Rev. B34, 7295 (1986).
J. M. Phillips and W. M. Augustyniak, Appl. Phys. Lett. 48, 463 (1986).
R. W. Fathauer, B. D. Hunt, L. J. Schowalter, M. Okamoto, and S. Hashimoto, Appl. Phys. Lett. 49, 64 (1987).
M-H. Yang and C. P. Flynn, Phys. Rev. Lett. 62, 2476 (1989).
See, e.g., B. J. Stein and H. J. Meyer, J. Cryst. Growth 49, 696 (1980); R. B. Bjorklund and K. G. Spears, J. Chem. Phys. 66, 3448 and 3437 (1977); W. Laaser, H. Dabringhaus, and H. J. Meyer, J. Cryst. Growth 62, 248 (1983).
J. E. Hove, Phys. Rev. 99, 430 (1955).
See, e.g., DOE Panel Report on Clusters and Cluster-Assembled Materials, J. Mater. Res. 4 (3), 704 (1989).
P. M. Petroff, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 45, 620 (1984).
J. M. Gaines, P. M. Petroff, H. Kroemer, R. J. Simes, R. S. Geels, and J. H. English, J. Vac. Sci. Technol. B6, 1378 (1988).
P. M. Petroff, J. M. Gaines, M. Tsuchiya, R. Simes, L. Coldren, H. Kroemer, J. English, and A. C. Gossard, J. Cryst. Growth 95, 260 (1989).
Horikoshi, M. Kawashima, and H. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 169 (1988).
P. M. Petroff, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1973 (1977).
M. Tsuchiya, P. M. Petroff, and L. A. Coldren, Appl. Phys. Lett. 54, 1690 (1989).
M. Tsuchiya, J. M. Gaines, R. H. Yan, R. J. Simes, P. O. Holtz, L. A. Coldren, and P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 6, 466 (1989).
P. M. Petroff (preprint).
T. Fukui and S. Ando, Electron. Lett. 25, 410 (1989).
E. Kapon, D. M. Hwang, and R. Bhat, Phys. Rev. Lett. 63, 430 (1989); E. Kapon, S. Simhony, D.M. Hwang, K. Kash, R. Bhat, and E. Colas, Proc. Conf. on Quantum Electronics and Laser Science, April 24–28, Baltimore, MD (1989), paper PD 15–1.
H. Shichijo, R. J. Matyi, and A. H. Taddiken, IEEE Electron Dev. Lett. 9, 444 (1988).
H. K. Choi, J. P. Mattia, G. W. Turner, and B. Y. Tsaur, IEEE Electron Dev. Lett. 9, 512 (1988); G. W. Turner, H. K. Choi, J. P. Mattia, C. L. Chen, S. J. Eglash, and B. Y. Tsaur, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 116, 179 (1988).
R. J. Matyi, H. Shichijo, T. S. Kim, and H. L. Tsai, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 116, 105 (1988).
L. C. Feldman and J. W. Mayer, Fundamentals of Surface and Thin Film Analysis (North Holland, Amsterdam, 1986).
W. K. Chu, J. W. Mayer, and M. A. Nicolet, Backscattering Spectrometry (Academic Press, New York, 1978).
C. C. Chang, in Characterization of Solid Surfaces, edited by P. F. Kane and G. R. Larrabee (Plenum Press, New York, 1974), Chap. 20.
Methods of Surface Analysis, edited by A. W. Czanderna (Elsevier, Amsterdam, 1975).
G. Ertl and J. Kuppers, Low Energy Electrons and Surface Chemistry (Verlag Chemie International, Weinheim, 1985).
P. K. Ghosh, Introduction to Photoelectron Spectroscopy (Wiley-Interscience Publishers, New York, 1983).
Handbook of X-Ray and Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy, edited by D. Briggs (Heydon and Son, London, 1978).
D. Briggs and M. P. Seah, Practical Surface Analysis by Auger and X-Ray Photoelectron Spectroscopy (John Wiley and Sons, New York, 1983).
Photoemission in Solids I and II, Topics in Appl. Phys., edited by M. Cardona and L. Ley (Springer-Verlag, New York, 1978 and 1979), Vols. 26 and 27.
T. A. Carlson, Photoelectron and Auger Spectroscopy (Plenum Press, New York, 1975).
R. B. Marcus and T. T. Sheng, Transmission Electron Microscopy of Silicon VLSI Circuits and Structures (Wiley-Interscience Publishers, New York, 1983).
L. E. Murr, Electron and Ion Microscopy and Microanalysis (Marcel Dekker, New York, 1982).
G. A. Somorjai, Chemistry in Two Dimensions: Surfaces (Cornell University Press, Ithaca, NY, 1981).
D. B. Williams, Practical Electron Microscopy in Materials Science (Verlag Chemie International, Weinheim, 1984).
Electron Spectroscopy: Theory, Techniques and Applications, edited by C. R. Brundle and A. D. Baker (Academic Press, New York, 1981).
T. A. Carlson, Photoelectron and Auger Spectroscopy (Plenum Press, New York, 1975).
H. W. Werner, in Electron and Ion Spectroscopy of Solids, edited by L. Fiermans, J. Vennik, and W. Dekeyser (Plenum Press, New York, 1978).
Hurst, Principles and Application of Resonance Ionization Spectroscopy (Taylor and Francis, London, 1988).
M. Landolt and D. Mauri, Phys. Rev. Lett. 49, 1783 (1982).
M. A. van Hove, W. H. Weinberg, and C-M. Chen, Low Energy Electron Diffraction (Springer, Berlin, 1986).
E. Bauer and W. Telieps, Scanning Microscopy, Suppl. 1 (1987) 99 (Scanning Microscopy Intern. Chicago); in Surface and Interface Characterization by Electron and Optical Methods, edited by A. Howie and U. Valdie (Plenum Press, New York, 1988), p. 195.
G. Bennig, H. Rohrer, C. Gerber, and E. Weibel, Phys. Rev. Lett. 49, 57 (1982); P. K. Hansma and J. Tersoff, J. Appl. Phys. 61, R1 (1987).
M. J. Pellin, C. E. Young, W. F. Calaway, and D. M. Gruen, Nucl. Instrum. Methods B13, 653 (1986); F. Kimock, J. P. Baxter, D. L. Pappas, P. H. Kobring, and N. Winograd, Analytical Chemistry (1984).
J. Kessler, Polarized Electrons (Springer-Verlag, Berlin, 1976); J. Kirschner, Polarized Electrons at Surfaces (Springer-Verlag, Berlin, 1985).
J. M. Cowley, in Reflection High Energy Electron Diffraction and Reflection Electron Imaging of Surfaces, edited by P. K. Larsen and P. J. Dobson (Plenum Press, New York, 1988), p. 261.
K. Yagi, S. Ogawa, and Y. Tanishiro, ibid., p. 285.
M. Ichikawa and T. Doi, ibid., p. 343.
P. H. Fuoss, D.W. Kisker, G. Renaud, K. L. Tokuda, S. Brennan, and J. L. Kahn, Phys. Rev. Lett. 63, 2389 (1989).
D. E. Aspnes, J. P. Harbison, A. A. Studna, and L. T. Florez, Phys. Rev. Lett. 59, 1687 (1987); D.E. Aspnes, J. P. Harbison, A. A. Studna, and L.T. Florez, J. Vac. Sci. Technol. A6, 1327 (1987); D. E. Aspnes, R. Bhat, E. Codas, L. T. Florez, J. P. Harbison, M. K. Kelly, V. G. Keramidas, M. A. Koza, and A. A. Studna, SPIE Proc. 1037, 2 (1989).
J. Y. Tsao, T. E. Brennan, and B. E. Hammons, Appl. Phys. Lett. 53, 288 (1988); J. Y. Tsao, T. M. Brennan, and B. E. Hammons, J. Vac. Sci. Technol. (in press).
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Bauer, E.G., Dodson, B.W., Ehrlich, D.J. et al. Fundamental issues in heteroepitaxy—A Department of Energy, Council on Materials Science Panel Report. Journal of Materials Research 5, 852–894 (1990). https://doi.org/10.1557/JMR.1990.0852
Received:
Accepted:
Published:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1557/JMR.1990.0852