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저전압에 적합한 고선형 CMOS RF 수신회로 연구

A High Linearity CMOS Front-end Circuit for Low-Voltage

  • 발행기관 부산대학교
  • 지도교수 남일구
  • 발행년 2013
  • 학위수여년월 2013. 2
  • 학위명 석사
  • 학과 및 전공 대학원 전자전기공학과
  • 논문 페이지 40
  • 실제URI http://www.dcollection.net/handler/pusan/000000084957
  • 본문언어 한국어
  • 저작권 부산대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

Abstract/초록/요약

A CMOS RF front-end with a linearized current-to-current converter and a gate switching mixer for multiband and multistandard mobile TV tuners is proposed. A linearized current-to-current converter and a gate switching passive mixer merged with the linearized current-to-current converter are proposed to improve the linearity of the RF front-end. It is fabricated in a 0.13 μm CMOS process and draws 13, 15, and 15 mA from a 1.2 V power supply at VHF, UHF, and L-band operation, respectively. It shows a gain of more than 32 dB, NF of less than 2.5 dB, IIP2 of more than 35 dBm, and IIP3 of more than -10.5 dBm across all bands.

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목차

Ⅰ. 서 론 1
Ⅱ. 본 론 3
2.1 제안한 RF front-end 회로 구조 3
2.2 저잡음 증폭기와 단동입력-차동출력 트랜스컨덕터 5
2.2.1 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier) 5
2.2.2 단동입력-차동출력 트랜스컨덕터(S-to-D transconductor) 9
2.3 선형 전류-전류 컨버터 (Linearized Current-to-Current Converter) 12
2.3.1 1차 응답 특성 15
2.3.2 2차 응답 특성 및 2차 고조파 왜곡 17
2.3.3 3차 응답 특성 및 3차 고조파 왜곡 20
2.3.3 제안한 선형 전류-전류 컨버터에서 적용 24
2.4 게이트 스위칭 주파수 혼합기(Gate switching Mixer) 28
Ⅲ. 측정결과 32
Ⅳ. 결 론 36
참 고 문 헌 37
Abstract 39

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