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The random telegraph noise (RTN) properties in two different cell states in 3-D NAND flash memory with a tube-type poly-Si body are analyzed. We analyze the fluctuation in bit-line current (ΔIBL) with increasing IBL and the low frequency noise characteristics in the erase (ERS) and the program (PGM) cell states. It is found that the IBL fluctuation by the RTN is more influenced in the ERS state than that in the PGM state at low IBL condition. Simulated electron concentration in channel at low IBL of the cell in PGM state shows that electrons are distributed below the interface between tunneling oxide and poly-Si body due to the repulsive force between electrons in channel and the nitride storage layer. Since the channel of the cell in the PGM state is located relatively distant from the trap causing the RTN, noise power spectral density in low IBL of the PGM state is smaller than that of the ERS state.
#3-D NAND flash memory #RTN #current fluctuation #1/f noise #noise power spectral density

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅲ. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (14)

참고문헌 신청
M. Ishiduki et al., Optimal device structure for pipe-shaped BiCS Flash memory for ultra high density storage device with excellent performance and reliability, IEDM Tech. Dig., 2009, pp. 625? 628. google schola J. Jang et al., “Vertical cell array using TCAT (Terabit Cell Array Transistor) technology for ultra high density NAND flash memory,” VLSI Tech. Dig., 2009, pp. 192?193. google schola E. Choi and S.-K. Park, “Device Considerations for High Density and Highly Reliable 3D NAND Flash Cell in Near Future,” IEDM Tech. Dig., 2012, pp. 9.4.1?9.4.4. google schola W.-J. Tsai et al., “Polycrystalline -silicon channel trap induced transient read instability in a 3D NAND flash cell string,” IEDM Tech. Dig., 2016, pp. 11.3.1?11.3.4. google schola Z. Lun et al., “Investigation of the impact of grain boundary on threshold voltage of 3-D MLC NAND flash memory”, IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 2015, pp. 1?2. google schola

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